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    SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則

    日期:2021-10-30 18:07
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    摘要: 舉例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示應用技術或者模塊結構: M——表示采用MOS技術 D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器) 100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A G 表示IGBT開關 B 表示線路的類型或者特點: A——表示線路為單只開...
    舉例:                         SKM100GB123D
    SK SK表示SEMIKRON的IGBT
     M 表示應用技術或者模塊結構:
    M——表示采用MOS技術
    D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器)
    100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A
    G 表示IGBT開關
      B 表示線路的類型或者特點:
    A——表示線路為單只開關
    AL——表示線路為斬披器模塊(即IGBT+集電極端續流二極管)
    AR——表示線路為斬波器模塊(即 1GBT+發射極端續流二極管)
    AH——表示線路為非對稱H 橋
    AX——表示線路為單只IGBT+集電極端串聯二極管(反向阻斷)
    AY——表示線路為單只IGBT+發射極端串聯二極管(反向阻斷)
    B——表示線路為兩單元模塊(半橋)
    BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
    D——表示線路為六單元(三相橋)
    DL——表示線路為七單元(三相橋+AL斬波器)
    H——表示線路為單相全橋
    M——表示線路為兩只lGBT在集電極端相連
    12 表示集電極與發射極間電壓等級( VCE為型號中的數字×100,例如12× 100V= 1200V= VCE)
    3 表示IGBT的系列號:
    0——表示第1代產品(1988 ~ 1991 年,集電極額定電流為Tcase =80℃時的值)
    1、2——表示笫l代產品(1992~1996 年,集電極額定電流為Tcase =25℃時的值。600V產品為集電極I額定電流Tcase =80℃時的值
    3——表示第2代產品(600V與1200v為高密度NPT型IGBT。1700V為第1代NPT型IGBT+ CAL二極管。600V產品為集電極額定電流為Tase=80℃時的值。1200V與1700V產品為集電極額定電流為Tcase=25℃時的值
    4——表示高密度、低飽和壓降NPT型IGBT( 1200V、I700V)
    5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
    6——表示溝道式NPT型IGBT
    D 表示為特點:
    D-表示快速恢復二極管
    K——表示SEMIKRON五號外殼帶螺栓端予
    L——表示六單元外殼帶焊接端子
    S——表示集電極檢測端子
    I——表示加強的反向二極管(高功率輸出)
    賽米控的IGBT的命名方法與規律2見表2。
    舉例:          SK 100 G B 12 3×
    SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
    100 表示集電極電流等級,條件Tcase= 25℃時的Ic,單位為A。
    G 表示應用技術或者模塊結構:
    G——表示IGBT開關
    M——表示MOSFET開關
    B 表示線路的類型或者特點:
    A——表示線路為單只開莢
    AL——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+集電極端續流二極管)
    AR——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+發射極端續流二極管)
    AH——表示線路為非對稱H 橋
    B——表示線路為兩單元模塊(半橋)
    BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
    D——表示線路為六單元(三相橋)
    H——表示線路為單相全橋
    12 表示集電極與發射極闖電壓等級(VCE為絕號中的數字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
    3 表示IGBT的系列號:
    2——表示PT型(僅600V產品)
    3——表示高密度NPT型產品
    4——表示高密度、低飽和壓降 NPT型ICBT
    5——表示高密度、高速NPT型IGBT
    × 特點(沒有定義)

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